Описание

Используется эффективная технология импульсной лазерной обработки, созданная специально для кремниевых полупроводниковых пластин LOW-K.

Особенности изделия:

• Используется пикосекундный УФ-лазер с длиной волны 355 нм, который оптимально подходит для обработки кремниевых полупроводниковых пластин с пленкой LOW-K;
• Функция автоматической загрузки и разгрузки, интеллектуальная разгрузка в режиме онлайн.
• Автоматическое нанесение слоя клея, а также чистка после резки;
• Многофункциональная обработка. Представлена возможность выбора метода резки.

Параметры оборудования:

• Максимальная выходная мощность лазера: 10 Вт (при 200 кГц);
• Частота повторения: 50 ~ 200 кГц (основная рабочая частота 200 кГц);
• Размеры кремниевых полупроводниковых пластин, подходящих для резки: 8 дюймов и 12 дюймов;
• Максимальный диапазон резки по оси X, Y: 310×310 мм;
• Точность повторного позиционирования по осям X/Y: ± 1 мкм; Прямолинейность по оси X: ± 1μm / 310 мм;
• Погрешность точности повторения оси Z: точность повторного позиционирования: ±1 мкм;
• Зона термического воздействия: <3 мкм;

Изображение готового результата: